24小时服务热线
19337881562
碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 - KYOCERA
碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。 在高达1400℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品2023年7月11日 本文介绍了碳化硅材料的特性和优点，以及磨削加工技术对其的应用。碳化硅是一种新型材料，具有稳定性好、质轻等优点，可用于空间光学遥感器中的反射镜材料，但需要 碳化硅零部件机械加工工艺 - 知乎
了解更多
半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏
2024年2月1日 本文介绍了半导体碳化硅衬底的切割、研磨和抛光等加工工艺的原理、优缺点和发展趋势，重点分析了激光剥离技术的优势和挑战。文章来源于东莞南方半导体科技有限公司的品质主管，提供了相关的技术支持和服务。2022年1月21日 碳化硅晶片生产流程. 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延 碳化硅晶片加工过程及难点 - 知乎
了解更多
碳化硅陶瓷的切削加工 - Toolind
2024年9月26日 与氧化物陶瓷和氮化物陶瓷一样，碳化硅是一种高硬度和非常耐磨的材料，一旦烧结后，就需要使用金刚石研磨方法进行加工。 普通刀具无法加工烧结后的碳化硅材料。 这 2 天之前 本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展，对比各类磨抛技术的特点，指出碳化硅衬底磨抛加工技术面临的挑战和发展趋势，以期为大尺寸碳化硅衬底的高质量、高效率、低成本加工提供新的思 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾
了解更多
一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
6 天之前 碳化硅晶片生产流程. 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。 1、原料合成：将高纯硅粉和 2024年3月7日 文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球碳化硅晶圆市场中的增长潜力，并邀请业界人士参加PME CHINA 2024，以探索更多相关 「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方
了解更多
陶瓷 CNC 加工综合指南 - Runsom Precision
本文介绍了陶瓷数控加工的概念、适用材料、操作、优势、缺点、工艺、设计注意事项、挑战与解决方案和应用。碳化硅陶瓷是一种具有高硬度、耐磨性、耐热性和电绝缘性的陶瓷材料，适用于制造复杂设计和零件的数控加工。6 天之前 介绍了碳化硅衬底切割的原理、方式、耗材、设备和供应商，以及各种切割技术的优缺点和发展趋势。比较了多线切割和激光切割的切割效果、速度、耗损度和环境影响。顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割
了解更多
「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方
2024年3月7日 碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及 6 天之前 碳化硅微粉在高温下升华形成气相的Si2C、SiC2、Si等物质，在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处，并在其上结晶形成圆柱状碳化硅晶锭。 3、晶锭加工： 将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚 一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
了解更多
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾
2 天之前 3 典型碳化硅磨抛加工 技术的效果对比 已经有大量的研究人员针对碳化硅衬底的磨抛 加工技术进行了深入研究，从传统机械磨抛技术、特 种能量辅助机械磨抛技术到化学腐蚀反应磨抛技 术、机械诱导反应磨抛技术，研究人员通 2023年4月26日 切割是衬底加工中首要关键的工序，成本占总加工成本50%以上。切割 是碳化硅晶棒第一道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平，切 片后需要使用全自动测试设备进行翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）、厚 度变化（TTV）等面型检测。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
了解更多
碳化硅陶瓷精密加工：烧结前和烧结后的高效加工方法
2024年1月24日 随着碳化硅陶瓷精密加工技术的不断发展，相信碳化硅陶瓷将在更多领域发挥其优异的性能，为人类社会的发展做出更大的贡献。总之，碳化硅陶瓷精密加工工件在航空航天、电子、机械、能源等领域具有广泛的应用前景。2022年10月9日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 电子工程专辑 EE ...
了解更多
碳化硅：半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区
2024年2月2日 在碳化硅的加工过程中，激光技术发挥着越来越重要的作用。激光与碳化硅材料的相互作用，可以根据需求选择不同的激光类型。连续激光或长脉冲激光主要通过热效应对材料进行加工，而皮秒、飞秒级的超短脉冲激光则通过材料等离子体去除实现非传统意义上的冷加工。2023年2月13日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 亿伟世科技
了解更多
大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷的成型工艺 - 百家号
2023年10月28日 碳化硅陶瓷硬度高，材料的脆性较大，加工时容易出现崩边、碎裂等情况。通常加工陶瓷件都是使用专用的陶瓷精雕机加工，可以有效的减少成本，达到高精密加工。鑫腾辉数控自研了一款陶瓷加工专用的陶瓷雕铣机，防护性能好、加工精度高。2023年5月29日 平罗县滨河碳化硅制品有限公司成立于2005年，占地面积1000多亩，总资产 20 亿元，现有员工1400余人，2017年公司总产值达到23亿 。主要从事碳化硅生产及产品深加工和销售，拥有目前全球行业内规模最大、技术最先进的3条碳化硅生产线。平罗县滨河碳化硅制品有限公司
了解更多
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎
2020年12月8日 SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄 2011年2月1日 综述了用于微电子和微机电系统应用的 SiC 微尺度加工的各种激光技术。由于其出色的机械、热和化学性能，碳化硅是一种适用于恶劣环境的优良材料。然而，其极端的热力学稳定性和惰性特性给传统的微制造方法带来了困难，这为探索激光加工作为替代方法提供了机会。碳化硅激光微细加工综述,Journal of Laser Applications - X-MOL
了解更多
碳化硅飞秒激光加工；高效精密工艺的技术探索 - 知乎
2024年3月25日 碳化硅晶圆 飞秒激光切割： - 碳化硅的高硬度和化学稳定性使其在激光切割中表现良好。 - 通过将高能量的激光束聚焦到碳化硅表面，可以实现材料的快速加热和蒸发，从而实现切割作业。 - 飞秒激光切割可以实现高精度、 2024年10月15日 碳化硅主要分为黑碳化硅和绿碳化硅两种。黑碳化硅硬度相对绿碳化硅硬度较低，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等；绿碳化硅自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃等。4.碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
了解更多
半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； - 知乎
2023年12月5日 碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。以碳化硅功率器件为例，从单晶生长到形成衬底需耗时1 个月，从外延生长到晶圆前后段加工完成需耗时6-12 个月，从器件制造再到上车验证更需1-2 年时间。2023年5月4日 碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题 碳化硅陶瓷是一种通过高温烧结而成的无机非金属材料，具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损及抗热冲击等优点。近年来，随着陶瓷增韧强化技术的进步以及机械加工方法的开发，碳化硅陶瓷的应用范围迅速扩大。碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题 - 知乎
了解更多
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
2022年12月1日 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使用；第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望 ...2024年2月29日 目前国内可以使用液相法生产4-6英寸的碳化硅晶体。凭借节能降本的优势，未来液相法或将实现进一步产业化。04 晶锭加工 将制得的碳化硅晶锭使用 X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚圆，去除籽晶面，去除圆顶面，加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎
了解更多
碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 - ROHM技术社区 - eefocus
2024年5月6日 碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、优异的电学性能、良好的透光性和抗辐射能力，在半导体和电子器件领域 ...2018年1月4日 淄博市华盛碳化硅有限公司是一家专业生产碳化硅和氮化硅制品的企业,拥有20 多年的生产经验。公司主要生产制造氮化硅产品。 更多 >> 产品分类 公司主要产品有氮化硅升液管，氮化硅辐射管，碳化硅管，碳化硅板，碳化硅砖，黑绿细粉，硅碳棒，热电 ...淄博市华盛碳化硅有限公司
了解更多
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何 2024年7月17日 单晶碳化硅具有超高硬度，其莫氏硬度高达 9.5，加工难度十分巨大。碳化硅具有极其稳定的化 学性质，在常温下不与任何已知的强酸或强碱等化 学试剂发生反应，且碳化硅的压缩强度远大于其弯 曲强度，材料具有较大的 碳化硅晶片的超精密抛光工艺 - 电子工程专辑 EE
了解更多
碳化硅加工工艺流程 - 百度文库
碳化硅加工工艺流程-4，投资回收期短，一般3个月可收回投资。五、碳化硅破碎工艺方案选择1、破碎工艺流程的选择，首先是确定破碎段数，这取决于最初给料粒度和对最终破碎产品的粒度要求。 一般情况下，只经过初级破碎是不能生产最终产品的。2024年4月23日 在第三代半导体技术方面，晟光硅研的微射流激光技术作为碳化硅材料加工领域的新型技术，尤其是针对8 英寸衬底晶圆的加工，极大的避免了传统加工容易导致晶体崩裂、晶片崩边等问题。晟光硅研正在持续推进与碳化硅行业领先客户的合作 ...碳化硅的激光切割技术介绍 -- 技术中心频道 - 《激光世界》
了解更多
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日 上世纪 70 年代开始，国外已经开始使用碳化硅代替玻璃、金属等，作为空间反射镜的加工材料，如图24 所示。碳化硅材料的优势在于：质量较轻、比刚度大、热膨胀系数小，这些均满足空间反射镜对材料的物理性能、光学性能和工艺性能的要求。2023年2月14日 为改善碳化硅的表面润湿性能, 本研究利用脉冲激光加工表面处理和化学改性分别改善了碳化硅的表面形貌和表面能。实验选用皮秒激光加工方式构造表面微织构, 利用激光共聚焦显微镜分析了微织构的微观形貌, 并进一步分析了烧蚀形态与激光自身特性和加工参数之间的联系。研究发现, 激光加工 ...皮秒激光加工的微织构对碳化硅润湿性的影响
了解更多
飞秒激光抛光6H碳化硅硅面实验研究 - 汉斯出版社
2 天之前 6H碳化硅(6H-SiC)作为目前应用最广的第三代半导体材料，其加工制造过程面临工艺步骤繁琐、研磨后表面质量缺陷严重等难题。本研究提出采用飞秒激光方法直接抛光SiC切割片，考察了激光重复频率、扫描间距、脉冲能量、扫描速度、离焦距离等工艺参数对抛光后SiC表面质量 2020年1月29日 随着对碳化硅(SiC)技术需求的激增，一些第三方代工厂商正在进入或扩大他们在该领域的努力。 然而，对碳化硅代工供应商和他们的客户来说，要想在市场上取得显著的进展并不容易。 它们正面临来自Cree、英飞凌(Infineon)、Rohm和意法半导体(STMicroelectronics)等传统SiC器件供应商的激烈竞争。碳化硅(SiC)代工业务即将兴起？ - 知乎
了解更多
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
2023年4月26日 2. 碳化硅工艺难度大，衬底制备是最核心环节 衬底制备是最核心环节，难度集中在晶体生长和衬底切割。从原材料到 碳化硅器件需要经历原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、外延生长、晶圆制造和封测等工艺流程。
了解更多